ISC058N04NM5ATMA1 vs IQD005N04NM6CGATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار ISC058N04NM5ATMA1 توسط Infineon و IQD005N04NM6CGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | ISC058N04NM5ATMA1 | IQD005N04NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 40V Normal Level | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 63 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 17 A | — |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A | 5.8 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.4 V | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 42 W | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TTFN-9-U02 (Source-Down 5x6 mm²) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS 6 (trench FET) |
| محدوده دمای کاری | -55C to +175C | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| RoHS Compliance | RoHS Compliant | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL per JEDEC J-STD-020 | — |
| Gate Drive Level | Normal Level (10V VGS recommended) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| RDS(on) Typical | — | 0.5 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 58 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 610 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulsed rating] |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 333 W |
| تعداد پایه | — | 9 |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Source Configuration | — | Source-Down (bottom-side source for PCB heatsinking) |