ISC060N10NM6ATMA1 vs ISC110N12NM6ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC060N10NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC110N12NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC110N12NM6ATMA1 ISC110N12NM6ATMA1 - 120V 9.8mΩ OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISC110N12NM6ATMA1 - 120V 9.8mΩ OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISC110N12NM6ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISC060N10NM6ATMA1 ISC110N12NM6ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 6 100 V —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 15 A 11 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 97 A 62 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V (typical) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 125 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C (TJ) —
پیکیج PG-TDSON-8 FL (5.15 x 6.15 mm) SuperSO8 (TDSON-8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 (thin-wafer trench) —
Polarity N-Channel N-Channel
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 9.8 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 3.1 V
Total Gate Charge (Qg) — 15.4 nC
Input Capacitance (Ciss) — 1.1 nF
Output Capacitance (Coss) — 330 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 10 pF
Power Dissipation (Pd) at Tc — 94 W
Power Dissipation (Pd) at Ta — 3 W
Avalanche Energy (EAS) — 185 mJ
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں