ISZ023N06LM6ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISZ023N06LM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC076N04NDATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
ISZ023N06LM6ATMA1 - 60V 149A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISZ023N06LM6ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISZ023N06LM6ATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 60 V | OptiMOS 3 |
| Part Number | ISZ023N06LM6 | — |
| Orderable Part Number | ISZ023N06LM6ATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | 2x N-Channel MOSFET array |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 24 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID, Tc) | 149 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | 65 W |
| پیکیج | PG-TSDSON-8-34 (Surface Mount) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55C to +175C | — |
| MSL لیول | 1 | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Configuration | Single | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 C to +175 C |
| پیکیج / کیس | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |