K4A4G085WD-BCPB vs MT40A512M8RH-075E:B موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G085WD-BCPB بذریعہ Samsung Electronics اور MT40A512M8RH-075E:B بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron
MT40A512M8RH-075E:B ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G085WD-BCPB | MT40A512M8RH-075E:B |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| تنظیم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Die Generation | D-die | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| انٹرفیس | DDR4 (Double Data Rate 4) | — |
| پیکیج | FBGA-78 (PB) | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Speed Grade / Data Rate | [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] | — |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (PB lead-free suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| ہیلوجن فری | [DATA_NEEDED: halogen-free status] | — |
| Datasheet Pages | 66 pages (K4A4G085WD family datasheet) | — |
| ڈیٹا ریٹ | — | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1.33 GHz) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| انٹرفیس ٹائپ | — | Parallel |
| I/O Structure | — | 1.2V pseudo open-drain |
| ریفرنس وولٹیج | — | On-die internal adjustable VREFDQ generation |
| Speed Grade Suffix | — | -075E |
| Packaging Option Suffix | — | :B (ball map B designation per Mouser listing) |