K4A4G165WD-BCPB vs K4A4G165WF-BCTD موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WD-BCPB بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G165WF-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G165WD-BCPB | K4A4G165WF-BCTD |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| اسٹاک کی حالت | — | In Stock |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $8.20 |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 2133 MT/s | — |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| پیکیج | FBGA-96 | FBGA-96 (PBGA96) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Generation | D-die | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] | — |
| Burst Length | 8 (BL8, fixed/chop) | — |
| انٹرفیس | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) | SSTL-12 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Pb-Free | Yes (per Samsung part-numbering suffix) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (lead-free suffix) | Compliant |
| Refresh | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) | Self-refresh and auto-refresh supported |
| میموری سائز | — | 4 Gbit |
| Speed (Data Rate) | — | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| I/O Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| خصوصیات | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Technology | — | Samsung F-die CMOS |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |