K4A4G165WD-BCPB vs K4A4G165WF-BCTD مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A4G165WD-BCPB توسط Samsung Electronics و K4A4G165WF-BCTD توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A4G165WD-BCPB | K4A4G165WF-BCTD |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | — | In Stock |
| قیمت واحد (USD) | — | $8.20 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| نرخ داده | 2133 MT/s | — |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| بسته‌بندی | FBGA-96 | FBGA-96 (PBGA96) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Generation | D-die | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] | — |
| Burst Length | 8 (BL8, fixed/chop) | — |
| رابط | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) | SSTL-12 |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Pb-Free | Yes (per Samsung part-numbering suffix) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (lead-free suffix) | Compliant |
| Refresh | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) | Self-refresh and auto-refresh supported |
| اندازه حافظه | — | 4 Gbit |
| Speed (Data Rate) | — | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| I/O Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| ویژگی‌ها | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Technology | — | Samsung F-die CMOS |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |