K4A4G165WD-BCPB vs K4A4G165WF-BCTD So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A4G165WD-BCPB bằng Samsung Electronics và K4A4G165WF-BCTD bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A4G165WD-BCPB | K4A4G165WF-BCTD |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Trạng thái kho | — | In Stock |
| Giá đơn vị (USD) | — | $8,20 |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Tổ chức | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tốc độ dữ liệu | 2133 MT/s | — |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| Hộp | FBGA-96 | FBGA-96 (PBGA96) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Generation | D-die | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Latency CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] | — |
| Burst Length | 8 (BL8, fixed/chop) | — |
| Giao diện | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) | SSTL-12 |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Pb-Free | Yes (per Samsung part-numbering suffix) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (lead-free suffix) | Compliant |
| Refresh | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) | Self-refresh and auto-refresh supported |
| Kích thước bộ nhớ | — | 4 Gbit |
| Speed (Data Rate) | — | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| I/O Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Tính năng | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Technology | — | Samsung F-die CMOS |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |