K4A4G165WD-BCTD vs K4A4G165WE-BCTD موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WD-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G165WE-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G165WD-BCTD | K4A4G165WE-BCTD |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | DRAM |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 256M x 16 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Core Supply (VPP) | 2.5 V | — |
| انٹرفیس | SSTL-12 | Parallel, x16 |
| Data Mask | Yes (DM per byte lane) | — |
| Bank Architecture | 16 banks / 4 bank groups | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA | FBGA-96 (TFBGA) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C (commercial) | 0C to +85C |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes (external RZQ resistor) | — |
| CRC / CA Parity | CRC read/write support | — |
| Reset | Asynchronous reset (RESET_n) | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per JLCPCB listing) |
| میموری سائز | — | 4 Gbit |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Die Generation | — | E-die |
| Terminal Count | — | 96 |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] |
| Product Status | — | Active |
| Datasheet Revision | — | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 |
| Burst Length | — | BL8 (JEDEC DDR4) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |