K4A8G085WB-BICR vs MT40A1G8SA-075:E موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WB-BICR بذریعہ Samsung Electronics اور MT40A1G8SA-075:E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G085WB-BICR | MT40A1G8SA-075:E |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR4 |
| Density | 8 Gb | — |
| تنظیم | 1G x 8 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 Mbps | 2666 MT/s |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V (VDD/VDDQ) | — |
| Number of Banks | 16 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| پیکیج | 78-ball FBGA | 78-FBGA (7.5x11 mm) |
| پن کی تعداد | 78 | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Industrial (I-grade) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] | 0°C to +95°C |
| Die / Process | Samsung 8Gb B-die DDR4 | — |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh Management | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported | — |
| میموری سائز | — | 8Gbit (1G x 8) |
| انٹرفیس | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| Write Leveling | — | Supported |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Supported |
| CRC Function | — | Supported |
| Data Mask Function | — | Supported |