K4A8G085WB-BICR vs MT40A1G8SA-075:E مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WB-BICR توسط Samsung Electronics و MT40A1G8SA-075:E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WB-BICR | MT40A1G8SA-075:E |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR4 |
| Density | 8 Gb | — |
| سازمان | 1G x 8 | — |
| نرخ داده | 2400 Mbps | 2666 MT/s |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V (VDD/VDDQ) | — |
| Number of Banks | 16 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA | 78-FBGA (7.5x11 mm) |
| تعداد پایه | 78 | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Industrial (I-grade) | — |
| محدوده دمای کاری | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] | 0°C to +95°C |
| Die / Process | Samsung 8Gb B-die DDR4 | — |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh Management | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported | — |
| اندازه حافظه | — | 8Gbit (1G x 8) |
| رابط | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| Write Leveling | — | Supported |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Supported |
| CRC Function | — | Supported |
| Data Mask Function | — | Supported |