K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WC-BIWE بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics
K4A8G085WC ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WC |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| تنظیم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -40°C to +95°C | — |
| پیکیج | 78-FBGA | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| انٹرفیس | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| CAS لیٹنسی | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Speed | — | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.2 V |
| Supply Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) | — | -40 C to +95 C |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) | — | 0 C to +95 C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |