K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC-BCTD موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WC-BIWE بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WC-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ آخری بار خریداریخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | آخری بار خریداری |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| تنظیم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -40°C to +95°C | — |
| پیکیج | 78-FBGA | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| انٹرفیس | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 (chop 4) |
| CAS لیٹنسی | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0C to +95C |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| انٹرفیس ٹائپ | — | Synchronous, parallel |