K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC-BCTD השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WC-BIWE מאת Samsung Electronics ו K4A8G085WC-BCTD מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ רכישה אחרונההשוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | רכישה אחרונה |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| ארגון | 1G x 8 | 1G x 8 |
| קצב נתונים | 3200 Mbps | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C | — |
| מארז | 78-FBGA | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| ממשק | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 (chop 4) |
| השהיית CAS | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| טמפרטורת פעולה | — | 0C to +95C |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| סוג ממשק | — | Synchronous, parallel |