K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC-BCTD So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A8G085WC-BIWE bằng Samsung Electronics và K4A8G085WC-BCTD bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ Lần mua cuốiSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Lần mua cuối |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Tổ chức | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Tốc độ dữ liệu | 3200 Mbps | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -40°C to +95°C | — |
| Hộp | 78-FBGA | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Giao diện | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 (chop 4) |
| Latency CAS | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Nhiệt độ hoạt động | — | 0C to +95C |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Loại giao diện | — | Synchronous, parallel |