K4A8G085WC vs H5AN8G6NAFR-UHC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WC بذریعہ Samsung Electronics اور H5AN8G6NAFR-UHC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics
K4A8G085WC ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G085WC | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (CMOS) |
| Density | 8 Gbit | — |
| تنظیم | 1G x 8 | 512M x 16 |
| Speed | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | 1.2 V |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Clock Frequency | 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) | — |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) | -40 C to +95 C | — |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) | 0 C to +95 C | — |
| پیکیج | 78-ball FBGA (78FBGA) | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Density | — | 8 Gbit |
| ڈیٹا ریٹ | — | 2400 MT/s |
| Clock Architecture | — | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0C to +85C |
| Refresh | — | Auto self-refresh |
| Precharge | — | Auto precharge function |
| Reset | — | Asynchronous reset function |
| Data Mask | — | DM function supported |
| Termination | — | Dynamic on-chip termination (ODT) |
| Calibration | — | ZQ calibration function |
| Error Checking | — | CRC function |
| Write Leveling | — | Write leveling function supported |