K4B4G1646D-BCK00 vs K4B4G1646D-BMK0 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BCK00 بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646D-BMK0 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BMK0 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BCK00 | K4B4G1646D-BMK0 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| سپلائی وولٹیج | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96FBGA (TFBGA) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to 95°C (Tcase) | -40°C to 95°C |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS لیٹنسی | 11 (at 1600 Mbps) | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ہیلوجن فری | Yes | Yes |
| Voltage | — | 1.35 V |
| Die Version | — | D-die |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Number of Functions | — | 1 |