K4B4G1646D-BCK00 vs K4B4G1646D-BMK0 So sánh

So sánh chi tiết song song của K4B4G1646D-BCK00 bằng Samsung Electronics và K4B4G1646D-BMK0 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BCK00 ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4B4G1646D-BCK00 K4B4G1646D-BMK0
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Density 4 Gb 4 Gb
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Speed Grade DDR3-1600 (800 MHz) 1600 Mbps (PC3L-12800)
Tốc độ dữ liệu 1600 Mbps/pin 1600 Mbps
Điện áp cung cấp 1.35V (1.283V to 1.45V) —
I/O Voltage 1.35V —
Hộp 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) 96FBGA (TFBGA)
Nhiệt độ hoạt động 0°C to 95°C (Tcase) -40°C to 95°C
Number of Banks 8 —
Latency CAS 11 (at 1600 Mbps) —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Đông trùng haogen Yes Yes
Voltage — 1.35 V
Die Version — D-die
RoHS Compliant — Yes
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Number of Functions — 1

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá