K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646D-BMH9 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BHMA بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646D-BMH9 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BHMA | K4B4G1646D-BMH9 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 Mbps | 2133 Mb/s per pin |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (9x13mm) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40°C to +95°C (TC) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS لیٹنسی | 13 (at 1866 Mbps) | Programmable |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 and 4 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ہیلوجن فری | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |