K4B4G1646D-BPH90 vs K4B4G1646D-BMH9 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BPH90 بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646D-BMH9 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BPH90 | K4B4G1646D-BMH9 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| تنظیم | 32M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| ڈیٹا ریٹ | 2133 Mb/s per pin | 2133 Mb/s per pin |
| سپلائی وولٹیج | 1.35V (DDR3L) | — |
| پیکیج | 96FBGA | 96-ball FBGA (9x13mm) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to +85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS لیٹنسی | Programmable up to 14 | Programmable |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 and 4 |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ہیلوجن فری | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |