K4B4G1646D-BPH90 vs K4B4G1646D-BMH9 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646D-BPH90 بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646D-BMH9 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646D-BPH90 | K4B4G1646D-BMH9 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| التنظيم | 32M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| معدل البيانات | 2133 Mb/s per pin | 2133 Mb/s per pin |
| جهد التغذية | 1.35V (DDR3L) | — |
| العلبة | 96FBGA | 96-ball FBGA (9x13mm) |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| زمن الوصول CAS | Programmable up to 14 | Programmable |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 and 4 |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| حالة RoHS | — | Compliant |