K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646D-BMH9 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BYK0 بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646D-BMH9 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BYK0 | K4B4G1646D-BMH9 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V (1.5 V compatible) | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 Mbps (PC3-12800) | 2133 Mb/s per pin |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (9x13mm) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS لیٹنسی | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | Programmable |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ہیلوجن فری | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| پنز کی تعداد | 96 | — |
| Die Revision | D-die | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |