K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646D-BMH9 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646D-BYK0 sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4B4G1646D-BMH9 sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMH9 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BMH9 ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646D-BYK0 | K4B4G1646D-BMH9 |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4Gb |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V (1.5 V compatible) | — |
| Rate ng Data | 1600 Mbps (PC3-12800) | 2133 Mb/s per pin |
| Packhaging | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (9x13mm) |
| Temperature na Operasyon | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latensya ng CAS | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | Programmable |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Wala sa Halogen | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Bilang ng Pins | 96 | — |
| Die Revision | D-die | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Tindminan RoHS | — | Compliant |