K4B4G1646E-BYK0 vs H5TC4G63MFR-PBA موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646E-BYK0 بذریعہ Samsung Electronics اور H5TC4G63MFR-PBA بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646E-BYK0 | H5TC4G63MFR-PBA |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| ڈیٹا ریٹ | DDR3-1600 (800 MHz) | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| پیکیج | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to +95°C (TC) | — |
| CAS لیٹنسی | 11 (CL-tRCD-tRP) | — |
| Burst Length | 8 (fixed), 4 (burst chop) | BL8, BL4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (+0.100V/-0.067V) |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | Programmable |
| CAS Write Latency (CWL) | — | Programmable |
| Additive Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | — | Yes |
| Process Technology | — | 30nm-class |
| RoHS Compliant | — | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) |