K4B4G1646E-BYK0 vs H5TC4G63MFR-PBA So sánh
So sánh chi tiết song song của K4B4G1646E-BYK0 bằng Samsung Electronics và H5TC4G63MFR-PBA bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4B4G1646E-BYK0 | H5TC4G63MFR-PBA |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | SK hynix |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Tổ chức | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Điện áp cung cấp | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| Tốc độ dữ liệu | DDR3-1600 (800 MHz) | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Hộp | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA |
| Nhiệt độ hoạt động | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Latency CAS | 11 (CL-tRCD-tRP) | — |
| Burst Length | 8 (fixed), 4 (burst chop) | BL8, BL4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (+0.100V/-0.067V) |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | Programmable |
| CAS Write Latency (CWL) | — | Programmable |
| Additive Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | — | Yes |
| Process Technology | — | 30nm-class |
| RoHS Compliant | — | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) |