K6F2016U4D-FF70T00 vs K6F3216U6M-EF70T موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K6F2016U4D-FF70T00 بذریعہ Samsung Electronics اور K6F3216U6M-EF70T بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K6F2016U4D-FF70T00 K6F2016U4D-FF70T00 - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-FBGA | Samsung

K6F2016U4D-FF70T00 - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-FBGA | Samsung

K6F2016U4D-FF70T00 ✓ فعال
Samsung Electronics
K6F3216U6M-EF70T K6F3216U6M-EF70T - 32Mbit Async SRAM 2Mx16 | Samsung

K6F3216U6M-EF70T - 32Mbit Async SRAM 2Mx16 | Samsung

K6F3216U6M-EF70T ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K6F2016U4D-FF70T00 K6F3216U6M-EF70T
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ Asynchronous SRAM SRAM - Asynchronous
میموری سائز 2 Mbit 32 Mbit
تنظیم 128K x 16 2M x 16
Access Time (tAA) 70 ns —
Supply Voltage (Vcc) 2.7 V to 3.3 V —
انٹرفیس Parallel Parallel
Technology Full CMOS Full CMOS Static RAM
Write Cycle Time (tWP) 50 ns —
آپریٹنگ درجہ حرارت Industrial temperature range [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
پیکیج 48-FBGA (6x7 mm) chip-scale package 55-TFBGA (7.5 x 12 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Speed Grades in Family 55 ns, 70 ns —
Power Feature Super low power and low voltage —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] NO (per third-party listing)
سپلائی وولٹیج — 3 V
Access Time — 55 ns
Speed Grade — -EF70 (55 ns)
Standard Pack Qty — 2400
Memory Composition — Volatile SRAM
Refresh Requirement — None (static memory)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں