K6X0808C1D-BF70T vs K6X0808C1D-GF55000 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K6X0808C1D-BF70T بذریعہ Samsung Electronics اور K6X0808C1D-GF55000 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T ✓ فعال
Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF55000 K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor

K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor

K6X0808C1D-GF55000 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-GF55000
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ DRAM Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
میموری سائز 256 Kbit 256 Kbit
Memory Organization 32K x 8 —
Memory Interface Parallel —
Access Time 70 ns 55 ns
Write Cycle Time - Word, Page 70 ns —
Voltage - Supply 4.5 V to 5.5 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +85C (TA) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
پیکیج 28-SOP 28-SOP
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Process Technology CMOS —
Address Bus Width 15 bit (A0-A14) —
ڈیٹا بس چوڑائی 8 bit (I/O0-I/O7) —
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE (active low)
I/O Compatibility TTL compatible —
Refresh Requirement None (fully static operation) —
RoHS اسٹیٹس Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
تنظیم — 32K x 8
انٹرفیس — Parallel
سپلائی وولٹیج — 5 V
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current — [DATA_NEEDED: operating current]
Write Cycle Time — [DATA_NEEDED: write cycle time]
آؤٹ پٹ کی قسم — Three-state, common data I/O
Memory Format — Volatile, no refresh required
Technology — Low-power CMOS

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں