M25PE10-VMN3TPB vs M25PE40-VMN3TPB موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از M25PE10-VMN3TPB بذریعہ Micron Technology اور M25PE40-VMN3TPB بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
M25PE10-VMN3TPB M25PE10-VMN3TPB - 1Mb SPI NOR Flash 75MHz AEC-Q100 | Micron

M25PE10-VMN3TPB - 1Mb SPI NOR Flash 75MHz AEC-Q100 | Micron

M25PE10-VMN3TPB Obsolete
Micron Technology
M25PE40-VMN3TPB M25PE40-VMN3TPB - 4Mb SPI NOR Flash 75MHz 8-SO | Micron Technology

M25PE40-VMN3TPB - 4Mb SPI NOR Flash 75MHz 8-SO | Micron Technology

M25PE40-VMN3TPB Obsolete

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر M25PE10-VMN3TPB M25PE40-VMN3TPB
برانڈ Micron Technology Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت Obsolete Obsolete
میموری ٹائپ FLASH - NOR (serial paged) Non-Volatile Flash - NOR
میموری سائز 1 Mbit (128K x 8) 4Mb (512K x 8)
انٹرفیس SPI SPI
Clock Frequency 75 MHz 75 MHz
سپلائی وولٹیج 3V/3.3V 2.7 V to 3.6 V
Write Cycle Time - Page 3 ms —
Write Cycle Time - Word 15 ms —
پیکیج 8-SOIC (SO-8) 8-SOIC (0.154in, 3.90mm width)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
Qualification Automotive AEC-Q100 —
Part Status Obsolete Obsolete
Programming Granularity 1 to 256 bytes per Page Write / Page Program —
زمرہ Memory chips - Flash —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Access Time [DATA_NEEDED: access time] —
Memory Format — FLASH
Write Cycle Time - Word, Page — 15 ms, 3 ms
Page Program Time — 0.8 ms (typ)
Page Write Time — 11 ms (typ)
Page Erase Time — 10 ms (typ)
Subsector Erase — 4 KB
Sector Erase — 64 KB
Bulk Erase — 4 Mb
Deep Power-Down Current — 1 uA (typ)
Electronic Signature — JEDEC 2-byte signature 8013h
Endurance — More than 100,000 program/erase cycles
Write Protection — Software (64KB sector basis) and hardware BP0/BP1/BP2

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں