M25PE10-VMN3TPB vs M25PE40-VMN3TPB مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار M25PE10-VMN3TPB توسط Micron Technology و M25PE40-VMN3TPB توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
M25PE10-VMN3TPB - 1Mb SPI NOR Flash 75MHz AEC-Q100 | Micron
M25PE10-VMN3TPB ObsoleteMicron Technology
M25PE40-VMN3TPB - 4Mb SPI NOR Flash 75MHz 8-SO | Micron Technology
M25PE40-VMN3TPB Obsoleteمقایسه مشخصات
| پارامتر | M25PE10-VMN3TPB | M25PE40-VMN3TPB |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | Obsolete | Obsolete |
| نوع حافظه | FLASH - NOR (serial paged) | Non-Volatile Flash - NOR |
| اندازه حافظه | 1 Mbit (128K x 8) | 4Mb (512K x 8) |
| رابط | SPI | SPI |
| Clock Frequency | 75 MHz | 75 MHz |
| ولتاژ تغذیه | 3V/3.3V | 2.7 V to 3.6 V |
| Write Cycle Time - Page | 3 ms | — |
| Write Cycle Time - Word | 15 ms | — |
| بسته‌بندی | 8-SOIC (SO-8) | 8-SOIC (0.154in, 3.90mm width) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| Qualification | Automotive AEC-Q100 | — |
| Part Status | Obsolete | Obsolete |
| Programming Granularity | 1 to 256 bytes per Page Write / Page Program | — |
| دسته‌بندی | Memory chips - Flash | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: access time] | — |
| Memory Format | — | FLASH |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 15 ms, 3 ms |
| Page Program Time | — | 0.8 ms (typ) |
| Page Write Time | — | 11 ms (typ) |
| Page Erase Time | — | 10 ms (typ) |
| Subsector Erase | — | 4 KB |
| Sector Erase | — | 64 KB |
| Bulk Erase | — | 4 Mb |
| Deep Power-Down Current | — | 1 uA (typ) |
| Electronic Signature | — | JEDEC 2-byte signature 8013h |
| Endurance | — | More than 100,000 program/erase cycles |
| Write Protection | — | Software (64KB sector basis) and hardware BP0/BP1/BP2 |