MRF5S19100HR5 vs MRF5S19100HSR5 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF5S19100HR5 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF5S19100HSR5 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MRF5S19100HR5 | MRF5S19100HSR5 |
|---|---|---|
| برانڈ | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | Obsolete | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | LDMOS (RF Power) | N-Channel RF Power MOSFET (LDMOS) |
| Technology | N-Channel MOSFET | NXP HV5 LDMOS (5th generation, enhancement-mode) |
| Frequency Band | 1.93 GHz to 1.99 GHz | — |
| Output Power (Pout) | 22 W | 22 W (typical average, W-CDMA) |
| Power Gain at Test | 13.9 dB | — |
| Drain-Source Voltage Rated (Vdss) | 65 V | — |
| Test Voltage (Vd) | 28 V | — |
| Test Current (Id) | 1 A | — |
| پیکیج / کیس | NI-780 (3-pin ceramic flange) | — |
| Supplier Device Package | NI-780 | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Chassis Mount / Flange | Chassis / flange mount with screw |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Part Status | Obsolete | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: rohs status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead Finish | [DATA_NEEDED: lead finish] | — |
| ESD Protection | Yes (per datasheet) | — |
| Channel Temperature (Tj max) | [DATA_NEEDED: junction temp absolute maximum] | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 65 V (maximum) |
| Operating Drain Voltage | — | 28 V (typical) |
| Test Condition Power | — | 100 W peak (CW test condition) |
| Power Gain (Gp) | — | 13.9 dB (typical at 1.96 GHz) |
| Drain Efficiency | — | 28 percent (typical, W-CDMA Class-AB) |
| Operating Frequency | — | 1.93 GHz to 1.99 GHz |
| Test Frequency | — | 1.96 GHz |
| پیکیج | — | NI-780S (ceramic, flanged, bolt-down) |
| Input Impedance | — | 50 ohm (internally matched) |
| Input Bias Type | — | Class-AB (gate biased above pinch-off) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -40 C to +200 C (junction, with derating) |