MRF6S9160HSR3 vs MRFE6S9160HR3 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF6S9160HSR3 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRFE6S9160HR3 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

NXP Semiconductors
MRF6S9160HSR3 MRF6S9160HSR3 - 880MHz 35W RF Power LDMOS | NXP Semiconductors

MRF6S9160HSR3 - 880MHz 35W RF Power LDMOS | NXP Semiconductors

MRF6S9160HSR3 ⚠ آخری بار خریداری
NXP Semiconductors
MRFE6S9160HR3 MRFE6S9160HR3 - 35W, 880MHz RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9160HR3 - 35W, 880MHz RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9160HR3 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MRF6S9160HSR3 MRFE6S9160HR3
برانڈ NXP Semiconductors NXP Semiconductors
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت آخری بار خریداری فعال
ٹرانزسٹر کی قسم LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Application RF Power Amplifier —
Operating Frequency 865 MHz to 960 MHz —
Test Frequency 880 MHz 880 MHz
Drain-Source Voltage (Vdss) Rated 68 V —
Operating Voltage (VDD) 28 V —
Test Bias Current (IDQ) 1.2 A —
Output Power (Pout, Avg.) 35 W Avg. —
Power Gain 20.9 dB typical at 880 MHz —
Drain Efficiency 31% typical at 880 MHz 32.4% (typical, N-CDMA, 880 MHz)
ACPR @ 750 kHz Offset -46.8 dBc (N-CDMA) —
پیکیج NI-780S (CASE 465-06, STYLE 1) ceramic flange-mount —
ماؤنٹنگ ٹائپ Flange / Chassis Mount with screw holes Chassis / Flange mount (through-hole RF leads)
Lead-Free Status Lead free (HSR3 suffix) —
Designed Waveforms N-CDMA, GSM, GSM EDGE, multicarrier —
Manufacturer — NXP Semiconductors
Technology — HV6E lateral MOSFET (LDMOS-like)
Drain-Source Voltage (V DSS) — 70 V (max)
Drain Current (continuous) — [DATA_NEEDED: typical drain current at TC=25C]
Operating Frequency Range — 865 MHz to 960 MHz
Drain Supply Voltage (V DD) — 28 V (typical)
Output Power (Average) — 35 W (single-carrier N-CDMA, 880 MHz)
Output Power (PEP) — [DATA_NEEDED: PEP at specified conditions]
Power Gain (G ps / G p) — 21 dB (typical at 880 MHz)
پیکیج / کیس — NI-780H-2L (ceramic/metal air-cavity flange-mount)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -40C to +150C (junction)
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Thermal Resistance (R thJC) — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-case]
Input Match — Internally matched input (broadband)
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes
MSL لیول — Not applicable (non-SMD air-cavity package)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں