MRF7S19100NBR1 vs MRF7S19100NR1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF7S19100NBR1 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF7S19100NR1 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
NXP Semiconductors
MRF7S19100NR1 - 29W 1930-1990MHz RF Power LDMOS | NXP Semiconductors
MRF7S19100NR1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MRF7S19100NBR1 | MRF7S19100NR1 |
|---|---|---|
| برانڈ | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) | — |
| Part Number | MRF7S19100NBR1 | — |
| Device Type | RF Power MOSFET (N-Channel Enhancement-Mode Lateral) | — |
| Frequency Band | 1.93 GHz to 1.99 GHz | — |
| Test Frequency (typical) | 1.96 GHz | — |
| Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS, min) | 65 V | — |
| Drain Operating Voltage (VDD) | 28 V (nominal) | — |
| Quiescent Drain Current (IDQ) | 1000 mA | — |
| Output Power (Pout, average) | 29 W (single-carrier W-CDMA, 3GPP TM1 64 DPCH, 50% clipping) | — |
| Power Gain (Gp, typical) | 17.5 dB | — |
| Drain Efficiency (typical) | [DATA_NEEDED: typical drain efficiency %] | — |
| پیکیج / کیس | TO-270 WB-4 (TO-272 WB-4), plastic over-molded, surface mount | — |
| Configuration | Single, N-Channel | Single, Common Source |
| ماؤنٹنگ اسٹائل | Surface Mount with copper ground flange (heatsink bolted) | — |
| JEDEC Terminal Code | JESD-30: R-PDFM-F4 | — |
| Terminal Finish (JESD-609) | e3 (tin-lead reflow compatible per manufacturer data) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: operating temperature range C] | — |
| Storage Temperature Range | [DATA_NEEDED: storage temperature range C] | — |
| RoHS اسٹیٹس | compliant (per NXP product page) | [DATA_NEEDED: RoHS compliance per NXP product page] |
| Lead-Free | yes | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| Frequency Range | — | 1930 MHz to 1990 MHz |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) min | — | 65 V |
| Drain Supply Voltage (VDD) typical | — | 28 V |
| Output Power (Pout) Avg W-CDMA | — | 29 W |
| Power Gain | — | 17.5 dB |
| Drain Current at Test (ID) | — | 1 A |
| Quiescent Current (IDQ) typical | — | 1000 mA to 1400 mA |
| Test Voltage | — | 28 V |
| پیکیج | — | TO-270 WB-4 (Case 1486-03) Plastic |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| Operating Mode | — | Class AB / Class C |
| Modulation Target | — | Single-Carrier W-CDMA (3GPP TM1 64 DPCH) |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020] |