MRFE6S9160HSR3 vs MRF377HR3 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRFE6S9160HSR3 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF377HR3 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

NXP Semiconductors
MRFE6S9160HSR3 MRFE6S9160HSR3 - 160W RF Power LDMOS 880MHz | NXP

MRFE6S9160HSR3 - 160W RF Power LDMOS 880MHz | NXP

MRFE6S9160HSR3 ✓ فعال
NXP Semiconductors
MRF377HR3 MRF377HR3 - 45W 470-860MHz RF Power MOSFET | NXP

MRF377HR3 - 45W 470-860MHz RF Power MOSFET | NXP

MRF377HR3 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MRFE6S9160HSR3 MRF377HR3
برانڈ NXP Semiconductors NXP Semiconductors
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) —
Part Number MRFE6S9160HSR3 —
ٹرانزسٹر کی قسم LDMOS, N-Channel, Enhancement-Mode, Lateral N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Drain-Source Voltage (VDSS) 66 V (rated) —
ڈرین-سورس بریک ڈاؤن وولٹیج [DATA_NEEDED: V(BR)DSS minimum] —
Operating Drain Voltage (VDD) 28 V (typical bias) —
Continuous Drain Current (ID) 10 uA [leakage spec context, ID max [DATA_NEEDED]] —
Quiescent Current (IDQ) 1200 mA —
Operating Frequency Range 865 MHz to 960 MHz —
Test Frequency 880 MHz —
Output Power (Pout) Avg. 35 W (under N-CDMA drive, 9.8 dB PAR) —
Output Power Peak 160 W (peak envelope) —
Power Gain 21 dB (typical at 880 MHz) —
Drain Efficiency 31% (typical at 35 W avg.) [DATA_NEEDED: drain efficiency %]
ACPR at 750 kHz Offset -46.8 dBc —
پیکیج NI-780S (NI780HS) ceramic, bolted flange NI-860C3 (ceramic flange)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through-hole / chassis mount with flange Flange / Screw Mount (Surface Mount variant per HR3 suffix)
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: confirm via latest distributor listing] —
Technology HV6E (6th gen high-voltage LDMOS) Lateral RF Power MOSFET (Silicon)
Frequency Range — 470 MHz to 860 MHz
Drain-Source Voltage (V DSS) — 65 V (max)
Operating Drain Voltage — 32 V (typical)
Continuous Output Power (P out) — 45 W (CW, push-pull)
Power Gain (G ps) — 18.2 dB (typical at 860 MHz)
Test Current — 2 A
Configuration — Push-Pull (internally matched)
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40 C to +200 C (junction)
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature range]
Lead-Free / RoHS — Lead Free / RoHS Compliant
Case Connection — Source
Maximum Power Dissipation — 648 W (per Partstack listing)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں