RTAX2000DL-1CQ352V vs RTAX2000DL-CQ352V موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از RTAX2000DL-1CQ352V بذریعہ Microchip Technology اور RTAX2000DL-CQ352V بذریعہ Microchip Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Microchip Technology
RTAX2000DL-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000DL-1CQ352V ✓ فعالMicrochip Technology
RTAX2000DL-CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000DL-CQ352V ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | RTAX2000DL-1CQ352V | RTAX2000DL-CQ352V |
|---|---|---|
| برانڈ | Microchip Technology | Microchip Technology |
| زمرہ | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Family | RTAX-DSP (RTAX2000DL) | RTAX-DSP (RTAX-S/SL and RTAX-DSP radiation-tolerant FPGAs) |
| Equivalent System Gates | 2,000,000 (approx.) | 2,000,000 |
| Logic Cells | 29,568 | 29,568 |
| CLBs | 19,712 | 19,712 |
| Core Supply Voltage | 1.425 V to 1.575 V (nominal 1.5 V) | 1.5 V nominal (1.425 V to 1.575 V) |
| Technology | Digital CMOS | CMOS, antifuse (nonvolatile, one-time programmable) |
| Programming Technology | Antifuse (one-time programmable) | — |
| Radiation Tolerance | Radiation-tolerant (RTAX-DSP) | — |
| Configuration | Live at power-up, no external boot memory | Live-at-power-up (antifuse, no external boot device) |
| Speed Grade | -1 | — |
| پیکیج | CQ352 (352-pin ceramic QFP) | CQFP-352, hermetically sealed ceramic, metal-sealed cofired |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Application Domain | Space-flight systems | — |
| Special Features | DSP multiply-accumulate blocks (DL variant) | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | -55C to +125C |
| Embedded SRAM | [DATA_NEEDED: Embedded SRAM capacity] | — |
| DSP Mathblocks | — | Up to 120 (18-bit x 18-bit MAC, up to 125 MHz) |
| Embedded Memory | — | Up to 540 kbits SRAM with optional EDAC |
| Maximum Combinatorial Delay | — | 1.100 ns |
| Total Ionizing Dose (TID) | — | 300 krad (functional); 200 krad (per family data) |
| Terminal Pitch | — | 0.500 mm |