RTAX2000DL-1CQ352V vs RTAX2000DL-CQ352V So sánh
So sánh chi tiết song song của RTAX2000DL-1CQ352V bằng Microchip Technology và RTAX2000DL-CQ352V bằng Microchip Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Microchip Technology
RTAX2000DL-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000DL-1CQ352V ✓ Hoạt độngMicrochip Technology
RTAX2000DL-CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000DL-CQ352V ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | RTAX2000DL-1CQ352V | RTAX2000DL-CQ352V |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Danh mục | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Family | RTAX-DSP (RTAX2000DL) | RTAX-DSP (RTAX-S/SL and RTAX-DSP radiation-tolerant FPGAs) |
| Equivalent System Gates | 2,000,000 (approx.) | 2,000,000 |
| Logic Cells | 29,568 | 29,568 |
| CLBs | 19,712 | 19,712 |
| Core Supply Voltage | 1.425 V to 1.575 V (nominal 1.5 V) | 1.5 V nominal (1.425 V to 1.575 V) |
| Technology | Digital CMOS | CMOS, antifuse (nonvolatile, one-time programmable) |
| Programming Technology | Antifuse (one-time programmable) | — |
| Radiation Tolerance | Radiation-tolerant (RTAX-DSP) | — |
| Configuration | Live at power-up, no external boot memory | Live-at-power-up (antifuse, no external boot device) |
| Speed Grade | -1 | — |
| Hộp | CQ352 (352-pin ceramic QFP) | CQFP-352, hermetically sealed ceramic, metal-sealed cofired |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Application Domain | Space-flight systems | — |
| Special Features | DSP multiply-accumulate blocks (DL variant) | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | -55C to +125C |
| Embedded SRAM | [DATA_NEEDED: Embedded SRAM capacity] | — |
| DSP Mathblocks | — | Up to 120 (18-bit x 18-bit MAC, up to 125 MHz) |
| Embedded Memory | — | Up to 540 kbits SRAM with optional EDAC |
| Maximum Combinatorial Delay | — | 1.100 ns |
| Total Ionizing Dose (TID) | — | 300 krad (functional); 200 krad (per family data) |
| Terminal Pitch | — | 0.500 mm |