6EDL04N02PRXUMA1 vs 6EDL04N03PRXUMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của 6EDL04N02PRXUMA1 bằng Infineon và 6EDL04N03PRXUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
6EDL04N02PRXUMA1 6EDL04N02PRXUMA1 - 200V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04N02PRXUMA1 - 200V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04N02PRXUMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
6EDL04N03PRXUMA1 6EDL04N03PRXUMA1 - 3-Phase Gate Driver, 25V/0.24A | Infineon

6EDL04N03PRXUMA1 - 3-Phase Gate Driver, 25V/0.24A | Infineon

6EDL04N03PRXUMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số 6EDL04N02PRXUMA1 6EDL04N03PRXUMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Product Type 3-Phase Gate Driver IC —
Driver Configuration Half-bridge (3 high-side + 3 low-side) —
Maximum Blocking Voltage +180 V (VS referenced to GND for high side) —
Rated Supply Voltage (VCC) 200 V class (operating range 10 V to 20 V on VCC) —
Source Current (typ.) 0.375 A —
Sink Current (typ.) 0.75 A —
Bootstrap Diode Integrated (BSD) on all 3 high-side drivers Integrated (3 channels)
Over-Current Protection Yes (single-shunt, ITRIP/CIN pin) Yes (adjustable threshold via ITRIP)
Enable Pin (EN) Yes (active-high) —
Fault Output (nFAULT) Yes (active-low, open-drain) —
Input Logic Compatibility CMOS / LSTTL, 3.3 V and 5 V —
Interlocking / Anti-shoot-through Yes (built-in per phase pair) —
Process Technology Thin-film SOI (Silicon-On-Insulator) —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -40 °C to +125 °C —
Maximum Junction Temperature +150 °C —
Hộp PG-TSSOP-28 (28-pin, 4.40 mm width, exposed pad) PG-TSSOP-25
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Target Switches MOSFETs up to 180 V, IGBTs up to 180 V —
Cấp MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020, [DATA_NEEDED: confirm level]) 3
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Driver Type — Three-phase gate driver (6-channel half-bridge)
Number of Drivers — 6
Cấu hình đầu ra — Non-inverting half-bridge
Supply Voltage (VDD) — 10 V to 25 V
Logic Supply Voltage (VSS) — 3.3 V / 5 V
Output Current (Source) — 0.24 A
Output Current (Sink) — 0.375 A
Thời gian tăng lên — 60 ns (typical at 1 nF load)
Thời gian giảm dần — 26 ns (typical at 1 nF load)
Fault Output — Yes (open-drain)
N Nap kích hoạt — Yes (EN, active-high)
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: propagation delay]
Nhiệt độ hoạt động — -40 C to +125 C
Blocking Voltage — 200 V / 600 V family

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá