ATSAMG55J19B-AUT vs ATSAMG55J19A-AU So sánh

So sánh chi tiết song song của ATSAMG55J19B-AUT bằng Microchip Technology và ATSAMG55J19A-AU bằng Microchip Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Microchip Technology
ATSAMG55J19B-AUT ATSAMG55J19B-AUT - ARM Cortex-M4 MCU 120MHz 512KB LQFP-64

ATSAMG55J19B-AUT - ARM Cortex-M4 MCU 120MHz 512KB LQFP-64

ATSAMG55J19B-AUT ✓ Hoạt động
Microchip Technology
ATSAMG55J19A-AU ATSAMG55J19A-AU - 120MHz Cortex-M4 MCU 512KB Flash | Microchip

ATSAMG55J19A-AU - 120MHz Cortex-M4 MCU 512KB Flash | Microchip

ATSAMG55J19A-AU ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số ATSAMG55J19B-AUT ATSAMG55J19A-AU
Thương hiệu Microchip Technology Microchip Technology
Danh mục Microcontrollers Microcontrollers
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Core Architecture ARM Cortex-M4 with single-precision FPU ARM Cortex-M4 with FPU
Tần số xung maksimum 120 MHz —
Program Memory (Flash) 512 KB (512K x 8) —
SRAM 176 KB —
Operating Voltage Range 1.62 V to 3.6 V —
Hộp 64-pin LQFP (10x10 mm) 64-LQFP (10x10 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -40C to +85C (Industrial) —
Bề rộng đường dữ liệu 32-bit —
Number of I/O Pins Up to 47 (per datasheet) —
USB Interface USB 2.0 Full-Speed Device/Host with on-chip PHY —
Audio Interface I2S (digital audio) I2S with PDM/TDM and sample-rate converter
ADC 12-bit, 16-channel (per datasheet) 12-bit SAR
Timers/PWM 16-bit timers, PWM channels (per datasheet) —
Communication Peripherals USART, SPI, TWI/I2C USART/UART, SPI, TWI (I2C), I2S, HS USB
DMA Peripheral DMA controller —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Delivery Form Tape & Reel (AUT suffix) —
Series SAM G55 —
Silicon Revision B —
Core Clock Speed (max) — 120 MHz
Instruction Set — 32-bit RISC + DSP extensions + FPU (single-precision)
Program Flash Memory — 512 KB (512K x 8)
SRAM (Total) — 160 KB
Backup SRAM with Retention — 16 KB (retained in deep sleep)
Supply Voltage (VDDIO/VDDCORE) — 1.62 V to 3.6 V
Nhiệt độ hoạt động — -40 C to +85 C (industrial)
USB — USB 2.0 Full-Speed device/host
External Bus Interface (EBI) — Yes (for SRAM/SDRAM/NOR Flash expansion)
Active Power Consumption — Down to 100 uA/MHz
Deep Sleep Current — Below 7 uA with SRAM retention
Wake-up Time (deep sleep to first instruction) — Down to 3 us
Lifecycle / New Design Recommendation — Active (new designs: consider ATSAMG55J19B Revision B)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá