BSC014N04LSIATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC014N04LSIATMA1 bằng Infineon và BSC014N04LSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSC014N04LSATMA1 - 40V 1.4mOhm OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
BSC014N04LSATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC014N04LSIATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 31 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | 1.4 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] | 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 96 W | — |
| Power Dissipation (PD, Ta) | 2.5 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +150 C | -55C to +175C |
| Hộp | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Tradename | OptiMOS | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |