BSC014NE2LSIATMA1 vs BSF134N10NJ3GXUMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC014NE2LSIATMA1 bằng Infineon và BSF134N10NJ3GXUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET 100A | Infineon

BSC014NE2LSIATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET 100A | Infineon

BSC014NE2LSIATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSF134N10NJ3GXUMA1 BSF134N10NJ3GXUMA1 - 100V OptiMOS N-Ch MOSFET, 9A/40A | Infineon

BSF134N10NJ3GXUMA1 - 100V OptiMOS N-Ch MOSFET, 9A/40A | Infineon

BSF134N10NJ3GXUMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC014NE2LSIATMA1 BSF134N10NJ3GXUMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) Trench-gate OptiMOS planar
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 33 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) [DATA_NEEDED: Tc condition rating] —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 100 A —
On-State Resistance RDS(on) 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 74 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 °C to +150 °C —
Hộp PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) MG-WDSON-2 (CanPAK M)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 100 V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 9 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.2 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 43 W
Configuration — Single with built-in diode
Terminal Position — Bottom
Terminal Finish — Silver Nickel
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55°C to +150°C (TJ max) [DATA_NEEDED: exact Min/Max from datasheet]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max value]
Body Diode Reverse Recovery — [DATA_NEEDED: trr value]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá