BSC027N06LS5ATMA1 vs BSZ070N08LS5ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC027N06LS5ATMA1 bằng Infineon và BSZ070N08LS5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 - 80V 7mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSZ070N08LS5ATMA1 - 80V 7mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSZ070N08LS5ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC027N06LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 5 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] [DATA_NEEDED: IDM pulsed]
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 2.7 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 83 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55°C to +150°C —
Hộp / Vỏ PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số chân 8 —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total Qg] —
Avalanche Energy Rated Yes —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Part Family — OptiMOS™ 5 (80 V logic-level)
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 74 A (Tc, per datasheet)
Continuous Drain Current (ID) at TA / Si — [DATA_NEEDED: TA-rated ID]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 7 mΩ
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — Logic-level (drive compatible with 4.5 V)
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total Qg]
Power Dissition PD max at TC — 69 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55 °C to +150 °C
Hộp — PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) Surface Mount
Cấp MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020, unleaded reflow)
Avalanche Rated — Yes
Reel Quantity — 5000 per 13-inch reel (T&R)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá