BSC054N04NSGATMA1 vs IRF8736TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC054N04NSGATMA1 bằng Infineon và IRF8736TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC054N04NSGATMA1 | IRF8736TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC054N04NSGATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) | StrongIRFET / HEXFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 81 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 17 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 5.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 57 W | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| Hộp | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | SO-8 (8-SO, MS-012AA) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| Lead-Free Reflow | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 18 A |
| Power Dissipation (PD) Max at TA=25C | — | 2.5 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 4.8 mOhm at VGS = 10V |
| Gate Charge (Qg) Typical | — | 17 nC |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully characterized avalanche voltage) |
| Configuration | — | Single |
| Packaging | — | Tape & Reel (TRPBF suffix) |