BSC0921NDIATMA1 vs ISZ056N03LF2SATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC0921NDIATMA1 bằng Infineon và ISZ056N03LF2SATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 - 30V 72A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC0921NDIATMA1 | ISZ056N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 25V (N-channel) | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 17 A (per channel) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 31 A (per channel, package-limited) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Total Power Dissipation (PD) | 1 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] | — |
| Gate Charge (Qg) | Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) | — |
| Output Charge (Qoss) | Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) | — |
| Hộp | PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad) | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C (junction) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 (per Infineon OptiMOS family) | — |
| Primary Application | Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators | — |
| Series | — | StrongIRFET 2 |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 72 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.35 V (typ) |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 5.6 mOhm |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 52 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 C to +175 C |