BSS123NH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSS123NH6327XTSA1 bằng Infineon và 2N7002H6327XTSA2 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ Hoạt động
Infineon
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSS123NH6327XTSA1 2N7002H6327XTSA2
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS123NH6327XTSA1 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 190 mA (Ta) 300 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
RDS(on) Max 6 Ω @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate-Source Voltage Max (VGS) ±20 V —
Hộp PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 °C to +150 °C (junction) -55C to +150C (Tj)
Qualification AEC-Q101 (automotive) Industrial / Commercial Grade
RoHS Compliance Yes (Pb-free lead plating) —
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS (Planar)
On-State Resistance (RDS(on)) — 3 ohm max @ VGS = 10 V
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Channel Mode — Enhancement
Trạng thái RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá