BSZ096N10LS5ATMA1 vs BSZ065N03LSATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSZ096N10LS5ATMA1 bằng Infineon và BSZ065N03LSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSZ096N10LS5ATMA1 - 100V 9.6mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
BSZ096N10LS5ATMA1 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSZ096N10LS5ATMA1 | BSZ065N03LSATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | 100 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | 20 V (typical) | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25 °C) | 40 A | — |
| Maximum Silicon Drain Current (ID max) | 62 A | — |
| Pulse Drain Current (ID,pulse) | 160 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 9.6 mΩ at VGS=10 V | — |
| Total Power Dissipation (Ptot, TC=25 °C) | 69 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | Logic-level (low single-volt range) | — |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | 40 A (TC=25 °C) | — |
| Diode Forward Voltage (VSD) | 0.85 V typ, 1.2 V max at IF=20 A | — |
| Hộp | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +150 °C (junction) | -55C to +150C (junction) |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| ESD Protection | Yes (gate-integrated) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging Code | ATMA1 (tape and reel) | — |
| Series | — | OptiMOS 30V |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 12 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 26 W |
| Hộp / Vỏ | — | PG-TSDSON-8-FL (S308) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Cấp MSL | — | 1 |
| Gate Drive (typical) | — | 4.5 V |