EP1SGX40GF800I7 vs EP1SGX40GF800C5N So sánh
So sánh chi tiết song song của EP1SGX40GF800I7 bằng Altera và EP1SGX40GF800C5N bằng Intel. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | EP1SGX40GF800I7 | EP1SGX40GF800C5N |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Altera | Intel |
| Danh mục | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Trạng thái vòng đời | Obsolete | Obsolete |
| Family | Stratix GX | Stratix GX |
| Series | Stratix GX FPGA | — |
| Logic Elements (LE) | 41,250 | — |
| Embedded Memory | 3,423,744 bits | — |
| Embedded Multipliers (18x18) | 624 | — |
| High-Speed Transceivers (SERDES) | 20 channels, up to 3.125 Gbps | — |
| Hộp | 800-ball FineLine BGA (GF) | 780-pin FineLine BGA |
| Nhiệt độ hoạt động | -40C to +100C (industrial, I grade) | Commercial (0C to +85C) |
| Speed Grade | -7 | -5 (slower than -6/-7) |
| PLL Count | 12 (logic + transceiver) | — |
| User I/O Banks | [DATA_NEEDED: number of user I/O banks and pins] | — |
| Maximum User I/O | [DATA_NEEDED: max user I/O count] | — |
| Supply Voltage Core | [DATA_NEEDED: VCCINT nominal] | — |
| Configuration Method | Enhanced configuration device / Passive serial / JTAG | EPC enhanced configuration devices or JTAG |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | [DATA_NEEDED: explicit RoHS statement for this specific MPN] |
| Lead-Free | [DATA_NEEDED: lead-free status] | [DATA_NEEDED: lead-free finish] |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Transceiver Protocols Supported | PCI Express, Gigabit Ethernet, XAUI, Serial RapidIO, Fibre Channel | — |
| Logic Elements | — | 41,250 |
| Total RAM Bits | — | 3,432,192 (3.4 Mbit) |
| DSP Blocks | — | 14 |
| Embedded Multipliers (9-bit equivalent) | — | 56 |
| Transceiver Channels | — | 20 (up to 3.1875 Gbps per channel) |
| Maximum User I/O Pins | — | [DATA_NEEDED: max user I/O count for 780-pin BGA] |
| PLLs | — | 24 |
| Clock Networks | — | 8 phase-locked |
| Core Voltage | — | 1.5 V |
| Process Technology | — | 0.13 µm SRAM |