EP4CE75F29I7 vs EP4CE75F29I7N So sánh
So sánh chi tiết song song của EP4CE75F29I7 bằng Intel và EP4CE75F29I7N bằng Intel. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | EP4CE75F29I7 | EP4CE75F29I7N |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Intel | Intel |
| Danh mục | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Series | Cyclone IV E | — |
| Manufacturer | Intel (formerly Altera) | — |
| Logic Elements (LEs) | 75,408 | — |
| Embedded Memory (bits) | 2,810,880 | 2,810,880 |
| Embedded Memory Blocks | 274 (M9K) | — |
| Embedded 18×18 Multipliers | 200 | — |
| PLLs | 4 | 4 |
| User I/O Count | 426 | — |
| Hộp | 780-ball FBGA (FineLine BGA) | 780-ball FBGA (F29) |
| Nhiệt độ hoạt động | -40 °C to +100 °C (Industrial) | -40C to +100C (Industrial) |
| Process Node | 60 nm low-power CMOS | — |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.0 V / 1.2 V selectable | — |
| Configuration Modes | JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS) | — |
| I/O Standards Supported | LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL | — |
| External Memory Interfaces | DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 3 (168 hours) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Family | — | Cyclone IV E |
| Logic Elements (LE) | — | 75,408 |
| Logic Array Blocks (LAB) | — | 4,633 |
| Embedded 18x18 Multipliers | — | 426 |
| Global Clocks | — | 20 |
| Maximum User I/O Pins | — | 426 |
| I/O Banks | — | 8 |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Process Technology | — | 60 nm low-k |