H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NDJR-UHC So sánh

So sánh chi tiết song song của H5AN8G6NAFR-UHC bằng SK hynix và H5AN8G6NDJR-UHC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Hoạt động
SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC
Thương hiệu SK hynix SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM (CMOS) DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gbit —
Tổ chức 512M x 16 512M x 16
Điện áp cung cấp 1.2 V —
Tốc độ dữ liệu 2400 MT/s —
Clock Architecture Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous —
Hộp 96-ball FBGA (TFBGA) FBGA-96 (13x7.5 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount —
Nhiệt độ hoạt động 0C to +85C —
Refresh Auto self-refresh —
Precharge Auto precharge function —
Reset Asynchronous reset function —
Data Mask DM function supported —
Termination Dynamic on-chip termination (ODT) —
Calibration ZQ calibration function —
Error Checking CRC function —
Write Leveling Write leveling function supported —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Density — 8 Gb
Speed Grade — 3200 Mbps (PC4-25600)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Minimum Operating Temperature — 0 °C
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Đông trùng haogen — Yes
Additional Features — Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá