H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NDJR-UHC مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NAFR-UHC توسط SK hynix و H5AN8G6NDJR-UHC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ فعال
SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC
برند SK hynix SK hynix
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM (CMOS) DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gbit —
سازمان 512M x 16 512M x 16
ولتاژ تغذیه 1.2 V —
نرخ داده 2400 MT/s —
Clock Architecture Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous —
بسته‌بندی 96-ball FBGA (TFBGA) FBGA-96 (13x7.5 mm)
نوع نصب Surface Mount —
دمای کاری 0C to +85C —
Refresh Auto self-refresh —
Precharge Auto precharge function —
Reset Asynchronous reset function —
Data Mask DM function supported —
Termination Dynamic on-chip termination (ODT) —
Calibration ZQ calibration function —
Error Checking CRC function —
Write Leveling Write leveling function supported —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Density — 8 Gb
Speed Grade — 3200 Mbps (PC4-25600)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Minimum Operating Temperature — 0 °C
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
بدون هالوژن — Yes
Additional Features — Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت