H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G6NDJR-UHC So sánh

So sánh chi tiết song song của H5AN8G6NCJR-VKC bằng SK hynix và H5AN8G6NDJR-UHC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps FBGA-96 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps FBGA-96 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ Hoạt động
SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NDJR-UHC
Thương hiệu SK hynix SK hynix
Danh mục DRAM Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 8 Gbit —
Memory Organization 512M x 16 —
Tốc độ dữ liệu 2666 Mbps (MT/s) —
Clock Frequency 1.333 GHz —
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V 1.2 V
Giao diện Parallel —
Nhiệt độ hoạt động 0C to +95C —
Hộp FBGA-96 FBGA-96 (13x7.5 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount —
Standby Current 28 mA —
Operating Current 45 mA —
Tính năng Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per datasheet description) —
Trạng thái RoHS Compliant —
Trạng thái vòng đời Active —
Density — 8 Gb
Tổ chức — 512M x 16
Speed Grade — 3200 Mbps (PC4-25600)
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Minimum Operating Temperature — 0 °C
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Đông trùng haogen — Yes
Additional Features — Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá