H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G6NDJR-UHC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NCJR-VKC توسط SK hynix و H5AN8G6NDJR-UHC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G6NCJR-VKC | H5AN8G6NDJR-UHC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دستهبندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| نرخ داده | 2666 Mbps (MT/s) | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | 1.2 V |
| رابط | Parallel | — |
| دمای کاری | 0C to +95C | — |
| بستهبندی | FBGA-96 | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| Standby Current | 28 mA | — |
| Operating Current | 45 mA | — |
| ویژگیها | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per datasheet description) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| وضعیت چرخه عمر | Active | — |
| Density | — | 8 Gb |
| سازمان | — | 512M x 16 |
| Speed Grade | — | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Minimum Operating Temperature | — | 0 °C |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| Additional Features | — | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling |