IAUC100N08S5N043ATMA1 vs BSC040N08NS5ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IAUC100N08S5N043ATMA1 bằng Infineon và BSC040N08NS5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 - 80V 100A 4mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC040N08NS5ATMA1 - 80V 100A 4mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC040N08NS5ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IAUC100N08S5N043ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series IAUC / OptiMOS 5 —
Kiểu transitor N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) —
Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 100 A (package limited) —
Continuous Drain Current (chip-limited) 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W —
Maximum R<sub>DS(on)</sub> 4.3 mΩ —
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 125 W (T<sub>C</sub>) —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55°C to +175°C —
Hộp PG-TDSON-8-34 (SuperSO8) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số chân 8 —
Cấp độ độ ẩm nhạy cảm (MSL) MSL1 (up to 260°C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
RoHS / REACH RoHS Compliant (Green Product) —
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Channel Mode Enhancement —
Part Number — BSC040N08NS5ATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) — 121 A
On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 4 mOhm
Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc=25C) — 104 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55 C to +175 C
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Trạng thái RoHS — Compliant
Cấp MSL — 1
Primary Application — Synchronous rectification in telecom and server power supplies

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá